Riccardo Fraccaroli, PhD, insieme a tutti gli altri co-autori, ha vinto il best paper award per l’articolo “Field driven failure mechanism on 100V p-GaN HEMT with gate metal retraction”, presentato alla conferenza ESREF 2025, che si à tenuta a Bordeaux (Francia) dal 6 al 9 ottobre 2025.
Gli autori attualmente presenti all’interno del Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione (DEI) sono i seguenti: Riccardo Fraccaroli, Matteo Dell’Andrea, Simone Longato, Manuel Fregolent, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini.
